隨著電子設備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數量持續增加，尺寸日益縮小，同時也帶來了新的技術挑戰，尤其是在介質材料方面。電子芯片中的介質材料主要起到絕緣的作用，但當傳統的介質材料厚度減小到納米級別時，其絕緣性能會顯著下降，導致電流泄漏。這不僅增加了芯片的能耗，還導致發熱量上升，影響了設備的穩定性和使用壽命。為了解決這一難題，科研團隊開發了一種創新的金屬插層氧化技術。

中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員狄增峰介紹，以前的介質材料主要是用非晶的材料來做，我們這次主要是發明了晶體的介質材料，通過插層氧化的技術對單晶鋁進行氧化，實現了單晶氧化鋁作為介質材料，它在1納米下能夠實現非常低的泄漏電流。

中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員田子傲介紹，這個氧化鋁是藍寶石，雖然是人工合成的，但是它的晶體結構、介電特性、絕緣特性都是跟我們現實生活中的寶石的性能是一樣的。這個就是我們最典型的一個器件結構，下面是鍺的半導體材料，中間是介質，上面是金屬，這是中間薄薄的一層，大概只有2個納米，是我們人工合成的藍寶石，可以看到它的界面非常清晰，非常光滑的界面也有助于它限制漏電流。

據介紹，通過采用這種新型材料，科研團隊目前已成功制備出低功耗芯片器件，續航能力和運行效率得到大幅提升。這一成果不僅對智能手機的電池續航具有重要意義，還為人工智能、物聯網等領域的低功耗芯片發展提供了有力支持。（總臺央視記者帥俊全 褚爾嘉）

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